半導體電子零件加工生產工藝流程講解

半導體電子零件加工除了人們熟知的“設計→制造→封裝→測試”四大環節以外，中間的整體環節其實很復雜，可分為前段制程和后段制程。

半導體電子零件加工首先要有最基本的材料——硅晶圓，通過在硅晶圓上制作電路與電子元件（如電晶體、電容體、邏輯閘等），為上述各制程中所需技術最復雜且資金投入最多的過程。

由于芯片是高精度的產品，因此對制造環境有很高的要求，其所需制造環境為為一溫度、濕度與含塵均需控制的無塵室。

下面是主要的生產制程：

一、硅晶圓材料

晶圓是制作硅半導體IC所用之硅晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是硅，芯片廠家用的硅晶片即為硅晶體，因為整片的硅晶片是單一完整的晶體，故又稱為單晶體。

但在整體固態晶體內，眾多小晶體的方向不相，則為復晶體（或多晶體）。生成單晶體或多晶體與晶體生長時的溫度，速率與雜質都有關系。

二、光學顯影

光學顯影是在光阻上經過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉換到光阻下面的薄膜層或硅晶上。

光學顯影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩對準、曝光和顯影等程序。小尺寸之顯像分辨率，更在IC制程的進步上，扮演著最關鍵的角色。由于光學上的需要，此段制程之照明采用偏黃色的可見光。因此俗稱此區為黃光區。

三、蝕刻技術

蝕刻技術是將材料使用化學反應物理撞擊作用而移除的技術?？梢苑譃椋簼裎g刻：濕蝕刻所使用的是化學溶液，在經過化學反應之后達到蝕刻的目的；干蝕刻：干蝕刻則是利用一種電漿蝕刻。

電漿蝕刻中蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面所產生的物理作用，或者是電漿中活性自由基與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是以上兩者的復合作用?，F在主要應用等離子體刻蝕技術。

四、CVD化學氣相沉積

化學氣相沉積是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。